| 研究概要 |
本研究では,新規な配位子を有する遷移金属錯体の合成とその構造,反応性,触媒活性および小分子の活性化能の解明を目的として研究を行っている。
本年度はまず,昨年度合成に成功した三脚型四座配位子[o-(i-Pr)SC6H4]3P(1)を用いた10族金属錯体の合成について検討を行った。配位子1とNiCl2・6H2O(NaBF4共存下),[PdCl2(PhCN)2],[PtCl2(cod)2]とを反応させたところ,対応する10族金属錯体[NiCl(1a)]BF4(2),[PdCl(1a)]Cl(3),および[PtCl2(1a)](4)が得られた。錯体2-4の構造は各種NMR,X線結晶構造解析により決定され,ニッケル錯体2およびパラジウム錯体3では金属上にホスフィンと3つのスルフィドが配位した五配位三方両錐型構造を有し,白金錯体4の場合には白金上にホスフィンと1つのスルフィドが配位した平面四配位構造を有することが明らかになった。パラジウム(II)錯体は通常平面四配位構造であり,五配位三方両錐型構造を有するパラジウム(II)錯体の構造解析例は数例に限られている。そのため,この結果は興味深いものと考えている。
さらに,1つのシリル部位と3つのスルフィド部位を有する新規三脚型四座配位子(o-RSCH2C6H4)3Si(R=i-Pr,t-Bu)(5)のイリジウム(III)錯体[IrHCI(5)](6),および白金(II)錯体[PtCl(5)](7)の合成に成功した。これらの錯体6,7の構造に関しては,X線結晶構造解析により,イリジウム錯体6が八面体型構造,白金錯体7が平面四配位構造を有することを明らかにした。
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