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リン光性発光を示す新規二座(N^C)・三座配位子(N^C^N)混合配位子をもち、Ir-C結合を含むイリジウム錯体を合成した。置換基の変化により発光波長および収率が大きく変わる。高発光性[lr(N^C^N)(N^C)X]型中性イリジウム錯体であるN^C^N配位子のベンズイミダゾール基をイミダゾール基にすることで青色リン光を示す錯体の合成に成功し、光学分割を行うことに成功した。また、アクリジン基などのDNAインターカレータ部位を側鎖にもつカチオン性イリジウムあるいはルテニウム錯体を、基板表面上に固定化したDNAに吸着させてその状態を蛍光顕微鏡像として観察した。DNAは水溶液中では球状に折り畳まれた形状をとりやすいので、分子コーミング法により伸張したDNAナノワイヤを作成した。さらに、SiO_2基板上に金ナノアレイパターン電極を作成し、その電極上のDNAインターカレータ錯体により電極間にDNAを伸張配列させで配線することに成功した。この伸張したDNAナノワイヤ上に発光性錯体を修飾することで発光性ナノワイヤが得られた。これとは別に、Pdナノ粒子でDNAを被覆した後、銅の無電解メッキを行うことで銅被覆DNAナノワイヤを作製することができた。この銅被覆したナノワイヤはオーミックな伝導性を示した。以上、固体基板上に伸張したDNAナノワイヤを種々の方法で修飾することに成功し、発光性錯体を修飾することも可能となった。しかしながら、このナノワイヤを利用した光エネルギーあるいは電子移動による発光の制御に関しては今後の課題として残った。
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