2008 年度研究成果報告書

CrNナノ微結晶バッファー層を用いたGaN薄膜成長及び縦型発光ダイオードの作製

研究課題

研究課題/領域番号	19560008
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東北大学
研究代表者	花田貴東北大学, 金属材料研究所, 助教 (80211481)
研究分担者	花田貴東北大学, 金属材料研究所, 助教 (80211481)
研究期間 (年度)	2007 – 2008
キーワード	薄膜成長 / 光素子 / 窒化物半導体
研究概要	サファイヤc面基板上に高品質GaNを成長するためCrNバッファ層を導入した。CrN層は過塩素酸ベースの混合溶液で選択的に化学エッチングされ、GaN自立膜を基板からケミカルリフトオフ(CLO)できた。CLOプロセスによるダメージの導入はなく、縦型GaN-LEDを作製し電流注入発光を観測した。CLOにより複数基板からのLED剥離は一括処理でき、基板は再利用できるため、従来のGaN-LED作製法に比べ大幅なコスト低減が可能となる。

(2件)