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「エネルギー制御分子線成長法」(ECMBG)による微細構造作製技術の基礎研究を推進した。平成19年度は、GaAs結晶をベースとした超微細構造作製を目的として、ECMBGの基礎実験を可能性のある原料分子とエッチング分子にたいして進めた。具体的には原料分子種としてIII族およびV族原子にたいする有機金属原料分子、塩化物原料分子の運動エネルギーをヘリウム希釈のシーディング法によりthermalからhyperthermalまで変化させて行き、GaAs結晶の(001)表面、(111)表面、(110)表面にたいして照射し、表面反応の結果発生する化学種の表面脱離の角度依存性、脱離・散乱エネルギーの変化を回転型質量分析器により時間分解測定を進めた。特に原料分子と結晶表面の「直接反応過程」に注目して詳細な実験を行った。その結果GaAs結晶の材料である有機金属分子TMGaは、(111)A面にたいして、その運動エネルギーをhyperthermalエネルギーまで加速することにより活発な表面反応が生ずることが初めて明らかとなった。一方原子層エッチングに有力とされているエッチング分子塩化メチル分子は、基板温度が300℃をこすとhyperthermalエネルギー領域になると新しいエッチング反応過程が生ずることを観測することができた。これらの実験結果は、本研究目的である微細構造作製と制御に有用である可能性があり、これらの原料分子、エッチング分子の表面反応過程にたいして、一層詳しい研究に入っている。
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