| 研究課題/領域番号 |
19560015
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| 研究機関 | 宮崎大学 |
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研究代表者 |
尾関 雅志 宮崎大学, 工学部, 教授 (70336288)
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| 研究分担者 |
福山 敦彦 宮崎大学, 工学部, 准教授 (10264368)
前田 幸治 宮崎大学, 工学部, 准教授 (50219268)
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| キーワード | 微細構造 / GaAs / 超音速分子線 / 結晶成長 |
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| 研究概要 |
これまでhyperthermal energyを持った原料分子線を用いたGaAsの代表的な結晶面にたいする成長反応過程の解析から得られた基礎的なデーターを用いてGaAs微細構造作製についての可能性を検討することができた。分子線エピタキシー法により作製した清浄なGaAs (001)面上に室温で試料マニュピュレーターにより<111>方向から(i-C_4H_9)_3GaとAs[N(CH_3)_2]_3原料分子ビームを入射させ直接反応によりGaAs微細構造作製を試みた℃その結果(111)面が支配的な高密度の島状成長が観測された。ここで観測された微細構造はthermal energyの原料分子を用いた従来法の成長では観測できなかった微細構造であった。また原料分子ビームをGaAs (001)面に垂直方向から入射させた場合にはGaAs (001)ファセットが支配的な島状成長が観測された。さらにGaAs (111)B面を基板表面として<110>方向から入射させた場合には、(110)面と(111)面の両者が混在した島成長が観測された。以上のようにhyperthermal入射エネルギー原料分子によるGaAs成長では、従来の結晶成長で作製した微細構造とは大きく異なる構造が生ずることがわかった。これらの結果をベースに「直接反応過程」と「表面マイグレーション過程」を目的に応じて使い分け、ビームの入射角度を精密にコントロールすることにより微細構造作製ができる可能性を明らかとすることができた。
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