2008 年度実績報告書

InAsSbN/GaAsSbN新量子井戸構造を用いた赤外光素子の研究

研究課題

研究課題/領域番号	19560016
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	河村裕一大阪府立大学, 産学官連携機構, 教授 (80275289)
キーワード	赤外光素子 / 化合物半導体 / 量子井戸構造 / 分子線成長法 / 環境計測 / リモートセンシング / 医療応用 / 食品検査
研究概要	今年度はInAsSbN量子井戸レーザの特性向上、およびInAsSbN/GaAsSbN量子井戸の基本物性を明らかにすることを目的に実験を進めた。まずInAsSbN量子井戸レーザに関しては単一井戸層の評価用結晶を作製し、窒素組成、Sb組成をパラメータとしてフォトルミネッセンス測定により光学的特性を評価した。その結果、窒素の導入により、臨界膜厚が増大し、高品質の量子井戸が形成出来ることが明らかとなった。Sb組成を2%と4%の試料を作製したがSbが4%の場合に大幅な特性の変化が生じることを見出した。InAsSbN/GaAsSbN量子井戸に関しては、その基本となるInGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸層において歪み補償構造を作製し、その発光特性を測定した。その結果、6%の歪み補償構造において、約40meVの低エネルギーシフトを観測した。これは理論値である30meVにかなり近い値である。また発光強度の低下もほとんど見られず、光学的に高品質の結晶が得られていることが明らかとなった。