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2009 年度 研究成果報告書

La酸化物超薄膜/Si界面の原子レベル誘電特性の解明

研究課題

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研究課題/領域番号 19560020
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 薄膜・表面界面物性
研究機関電気通信大学

研究代表者

中村 淳  電気通信大学, 電気通信学部, 准教授 (50277836)

研究期間 (年度) 2007 – 2009
キーワードナノ材料 / 電子デバイス / 表面界面物性
研究概要

密度汎関数理論に基づく第一原理電子状態計算を用いて、La酸化物超薄膜単体およびLa酸化物とSi基板界面における原子レベル誘電特性、電子状態計算を行った。La酸化物表面においては、表面緩和により誘電率が著しく低下することがわかった。また、界面におけるバンドオフセットは、界面原子配列の詳細に大きく依存することがわかった。

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (2件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] n-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film2009

    • 著者名/発表者名
      S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 27

      ページ: 2020

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Negative donors in bulk Si and Si/SiO2 quantum wells in a magnetic field2009

    • 著者名/発表者名
      J. Inoue, T. Chiba, A. Natori, J. Nakamura
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 79

      ページ: 305206

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Atomic scale dielectric constant near the SiO2/Si(001) interface2008

    • 著者名/発表者名
      S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 1579

  • [雑誌論文] Dielectric properties of the interface between Si and SiO22007

    • 著者名/発表者名
      S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3261

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nano-Scale Profile of the Dielectric Constant Near the Si/oxide Interface: A First-Principles Approach2007

    • 著者名/発表者名
      J. Nakamura, S. Wakui, S. Eguchi, R. Yanai, A. Natori
    • 雑誌名

      ECS Trans. 11

      ページ: 273

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)2007

    • 著者名/発表者名
      J. Nakamura, A. Natori
    • 雑誌名

      Proc. 28th Int. Conf. Semi. Phys. 893

      ページ: 5

    • 査読あり
  • [学会発表] Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces: A first-principles approach2009

    • 著者名/発表者名
      J. Nakamura
    • 学会等名
      2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      SemiconNano 2009(招待講演)
    • 年月日
      2009-08-12
  • [学会発表] Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/Oxide interface: A first-principles approach2007

    • 著者名/発表者名
      J. Nakamura, S. Wakui, S. Eguchi, R. Yanai, A. Natori
    • 学会等名
      212th Electrochemical society (ECS-212)
    • 発表場所
      Washington D.C., USA
    • 年月日
      2007-10-09
  • [備考]

    • URL

      http://www.natori.ee.uec.ac.jp/junj/index-j.html

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公開日: 2011-06-18   更新日: 2016-04-21  

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