2008 年度研究成果報告書

ナノ領域における極微少電流特性のキャリアセパレーション評価技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号	19560022
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	薄膜・表面界面物性
研究機関	名古屋大学
研究代表者	坂下満男名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30225792)
連携研究者	酒井朗大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (20314031)
研究期間 (年度)	2007 – 2008
キーワード	C-AFM / キャリアセパレーション / ゲート絶縁膜 / MOSFET
研究概要	集積回路の基本素子であるMOSFETのゲート絶縁膜の劣化機構を解明するために、C-AFMによるキャリアセパレーション測定を可能とする手法の提案を行い、その測定技術の確立を目的に本研究を行った。本手法で用いる観察試料の設計および作製を行い、その観察試料の評価結果から、良好な電流-電圧特性を得ることができた。しかしながら、C-AFM観察では変位検出のためのレーザー光の漏れが観察試料に照射され、光励起電流によって観察電流が測定できず、本手法の実現には光が全く照射されない環境でのC-AFM観察が重要であることが明らかとなった。