極薄Si酸化膜上におけるGeナノドットの形成過程と微細構造の原子直視実空間評価

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19560023
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 田中 信夫 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (40126876)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: 電子顕微鏡

研究概要

本研究では、実空間かつ原子レベルでその場観察できるUHV in-situ HR-profile TEM(UHV in-situ high-resolution transmission electron microscopy in the profile-imaging geometry)と、試料の原子コラムレベル毎の組成分析や原子コラム位置を直視観察できるHAADF-STEM(high angle annular dark field-scanning resolution transmission electron microscopy)を用いて、Si基板に形成した極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの形成過程と、GeナノドットとSi界面近傍における微細構造、および原子拡散現象などを詳細に評価した。その結果、本系におけるGeナノドット成長様式およびGeナノドット直下にGe-rich layerの存在する新しい構造モデルを提案することができた

研究成果

• [雑誌論文] In-situ monitoring of nucleation and evolution of Ge nanodots on faintly oxidized Si(111) surfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: Sung-Pyo Cho, Shinji Kawano and Nobuo Tanaka
  • 雑誌名: App. Sur. Sci 254 ページ: 7868
  • 査読あり
• [雑誌論文] Spherical aberration corrected STEM studies of Ge nanodots grown on Si(001) surfaces with an ultrathin SiO2 coverage (2008)
  • 著者名/発表者名: N. Tanaka, S.-P. Cho, A. A. Shklyaev J. Yamasaki, E. Okunishi and M. Ichikawa
  • 雑誌名: App. Sur. Sci 254 ページ: 7569
  • 査読あり
• [雑誌論文] UHV in-situ とCs corrected HRTEMによる極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長、および微細構造の評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 趙星彪, 川野晋司, 齋藤晃, 山崎順, 田中信夫
  • 雑誌名: 日本結晶成長学会誌 Vol.34, No.3 ページ: 10
  • 査読あり
• [学会発表] UHV in-situ TEMによる極薄Si酸化膜付Si基板上に成長するGeナノドットの歪み評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 趙星彪, 藤林裕明, 田中信夫
  • 学会等名: 日本物理学会第64回年次大会
  • 発表場所: 東京 (立教大)
  • 年月日: 2009-03-27
• [学会発表] Cs-corrected STEM Studies of Ge Nanodots Grown on Slightly Oxidized Si(111) Surfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: N Tanaka, S-P Cho, A A Shklyaev, J Yamasaki, E Okunishi and M Ichikawa
  • 学会等名: Microscopy & Microanalysis 2008
  • 発表場所: New Mexico, USA
  • 年月日: 20080803-07
• [学会発表] Studies of Ge Quantum Dots on Slightly Oxidized Si(111) Surfaces by Cs-corrected TEM/STEM (2008)
  • 著者名/発表者名: N. Tanaka, S. -P. Cho, A. A. Shklyaev, J. Yamasaki, E. Okunishi, and M. Ichikawa
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC 1)
  • 発表場所: Nagoya, Japan
  • 年月日: 20080629-30
• [学会発表] 極薄酸化膜付きSi上に成長するGe量子ドットに含まれる歪分布の定量的評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 藤林裕明, 趙星彪, 田中信夫
  • 学会等名: 日本顕微鏡学会第64回学術講演会
  • 発表場所: 京都(国立京都国際会館)
  • 年月日: 2008-05-22
• [学会発表] Spherical aberration corrected STEM studies of Ge nanodots grown on Si(001) surfaces with an ultrathin SiO_2 coverage (2007)
  • 著者名/発表者名: N. Tanaka, S.-P. Cho, A. A. Shklyaev J. Yamasaki, E. Okunishi and M. Ichikawa
  • 学会等名: ACSIN-9(9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20071111-15
• [学会発表] In-situ monitoring of nucleation and evolution of Ge nanodots on faintly oxidized Si(111) surfaces November11-15 (2007)
  • 著者名/発表者名: Sung-Pyo Cho, Shinji Kawano and Nobuo Tanaka
  • 学会等名: 2007, ACSIN-9(9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20070000
• [学会発表] 極薄Si酸化膜を用いたSi(001)表面上のGeナノドットの微細構造および組成の評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 趙星彪, Alexander A Shklyaev, 山崎順, 奥西栄治, 市川昌和, 田中信夫
  • 学会等名: 日本物理学会第62回年次大会
  • 発表場所: 札幌 (北海道大)
  • 年月日: 2007-09-23
• [学会発表] 極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長、および微細構造の評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 趙星彪, 川野晋司, 田中信夫
  • 学会等名: 日本顕微鏡学会第63回学術講演会
  • 発表場所: 新潟(新潟コンベンションセンター)
  • 年月日: 2007-05-20
• [備考]
  • URL: http://sirius.esi.nagoya-u.ac.jp/~tanakalab/