研究課題
基盤研究(C)
化合物薄膜の製膜手法である反応性スパッタリングにおいて、膜組成制御のための研究を行った。まず蒸発源から放出された金属原子の輸送過程に、製膜時の全圧が影響し、膜組成が従来のモデルでは説明できない挙動を示すことを明らかにした。また膜表面への反応性ガスの付着確率が、特に窒化物の堆積において重要な役割を果たすことがわかった。さらにパルス放電スパッタの特性を評価し、膜構造制御の可能性を見出した。
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Vacuum vol.84
ページ: 1368-1371
Vacuum vol.83
ページ: 467-469
http://surf.st.seikei.ac.jp/HISPUT/