2008 年度研究成果報告書

原子論的シミュレーションによる半導体ナノワイヤの成長機構と力学的特性の解明

研究課題

研究課題/領域番号	19560077
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	機械材料・材料力学
研究機関	電気通信大学
研究代表者	新谷一人電気通信大学, 電気通信学部, 教授 (00162793)
研究期間 (年度)	2007 – 2008
キーワード	ナノ材料 / ナノワイヤ / VLS成長 / クラスター / コアシェル / 積層 / ヤング率 / 分子動力学法
研究概要	VLS成長機構において触媒として重要な役割を果たすクラスターの特性解析を行い、2個のクラスターの合体過程を調べて、合体後の形態を決定する支配因子は温度とクラスターの大きさであることを明らかにした。また、コアシェル型と軸方向積層型のナノワイヤの引張特性を調べ、コアシェル型ナノワイヤのヤング率は限られたGe分率の範囲で、Vegard則に従うこと、軸方向積層型ナノワイヤのヤング率の方向依存性はほとんどないことが分かった。

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