研究課題
基盤研究(C)
半導体中の伝導電子のスピンを操作し、これまでにない新しい機能を有する電子/光デバイスの研究が盛んに行われている。その実現の第一歩は、スピン偏極した電子を半導体内に発生させることであり、強磁性電極から半導体にスピン偏極した電子を電気的に注入する方法(スピン注入)が有効である。本研究では、高効率スピン注入の実現に向け、スピン偏極率の高いハーフメタル材料であるCo系ホイスラー合金薄膜を半導体GaAs上に高品質に形成するとともに、ホイスラー合金/GaAsヘテロ接合構造におけるスピン依存伝導特性を明らかにした。このことにより、将来の新しいスピン機能デバイスの創出にむけた基盤技術を確立した。
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Appl Phys. Lett vol.94
ページ: 182502-1-182502-3
J. Physics : Conference Series vol.150
ページ: 0521551-1-0521551-4
J. Phys. D. vol.42
ページ: 084015(9)
J. Phys. D vol.42
ページ: 084010(7)
J. Appl. Phys vol.105
ページ: 07B110-1-07B110-6
Appl. Phys. Lett vol.94
ページ: 092503-1-092503-3
ページ: 072510-1-072510-3
J. Appl. Phys vol.104
ページ: 123911-1-123911-5
IEEE Transactions on Magnetics vol.44
ページ: 3996-3998
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures vol.40
ページ: 2025-2027
J. Appl. Phys vol.103
ページ: 07A919-1-07A919-3
ページ: 07D712-1-07D712-3
ページ: 07C711-1-07C711-3
ページ: 07A703-1-07A703-3
Thin Solid Films vol.515
ページ: 8013-8016
J. Magn. Soc. Jpn vol.31
ページ: 344-350
IEEE Trans. on Magn vol.43
ページ: 2791-2793
IEEE Trans. on Appl. Supercond vol.17
ページ: 3529-3532
J. Appl. Phys vol.101
ページ: 09J513-1-09J513-3
IEEE Trans. on Magnetics (in press)