| 研究課題/領域番号 |
19560318
|
|---|
| 研究機関 | 佐賀大学 |
|---|
研究代表者 |
西尾 光弘 佐賀大学, 理工学部, 教授 (60109220)
|
|---|
| 研究分担者 |
小川 博司 佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 教授 (10039290)
郭 其新 佐賀大学, 理工学部, 教授 (60243995)
田中 徹 佐賀大学, シンクロトロン応用研究センター, 助手 (20325591)
|
|---|
| キーワード | ZnTe系材料 / LED / 高効率欠損波長領域 |
|---|
| 研究概要 |
本研究ではZnTeをベースとした材料系で既に開発したLEDの高輝度化のための要素基盤技術を結集すると共に、主としてエピタキシャル膜の平坦化、高品質化、ナノレベルでの拡散制御層平坦化およびそれに伴い生じる光取り出し構造の最適化などを実施することにより、LEDの性能向上を目指た。本年度の得られた成果の概要は以下の通りである。
1.LEDの高輝度化のための要素基盤技術の結集とp型エピタキシャル成長膜Zn_<1-x>Mg_xTe、ZnTeの平坦化、高品質化 これまでのデバイス化技術を結集し、有機金属気相成長法用の高品質なエピタキシャル成長基板Zn_<1-x>Mg_xTeを供給すると共に基板面方位についても検討した。また、p型エピタキシャル成長膜の平坦化、高品質化を目指した。その結果、(100)、(111)Te面で成長膜の平坦化が実現でき、またドーピング量の最適化と適度なアニール処理により高キャリア密度や発光効率向上が達成された。
2.LEDの高輝度化に不可欠な拡散制御層のナノレベル制御、n型Zn_<1-x>Mg_xTeエピタキシャル成長、加工、光取り出し構造の研究開発などについて 良質なn形層を得るために拡散制御層のナノレベル制御とn型Zn_<1-x>Mg_xTeエピタキシャル成長の2つの異なる手法を追求した。前者において、エピタキシャル成長膜中の拡散濃度分布を制御するためA1拡散制御層の厚さを変えた実験を試みた。後者においては有機金属気相成長法によるA1のドーピングを探求した。また、デバイス化のため、研磨とドライエッチングを組み合わせた薄膜化技術を開発した。その結果、光取り出し効率が向上できた。
|
