電子デバイス応用のためのアモルファス炭素薄膜のドーピング技術の開発

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19560319
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 琉球大学
• 研究代表者: 比嘉 晃 国立大学法人 琉球大学, 工学部, 教授 (50228699)
• 連携研究者: 山里 将朗 琉球大学, 工学部, 准教授 (10322299)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: アモルファス炭素薄膜 / 化学ドーピング / ヨウ素ドーピング

研究概要

アモルファス炭素薄膜(以下,a-C:H 薄膜と呼ぶ)の電子デバイス応用を実現するためには,a-C:H 薄膜の伝導度制御が必要不可欠である.本研究では,この伝導度制御を行うために化学ドーピング法によるヨウ素ドーピングを行った.本手法によるドーピング効果は,a-C:H 薄膜の膜構造に強く依存すること,また,ドーピングすることによって,薄膜の光学ギャップエネルギーや電気抵抗率が制御可能であることが明らかになり,電子デバイス応用のためのドーピング技術確立に対する重要な知見が得られた.

研究成果

• [雑誌論文] Dedoping phenomenon of iodine-doped a-C:H films (2008)
  • 著者名/発表者名: Masaaki Yamazato, Yukihiro Saida, Akira Higa
  • 雑誌名: Diamond & Related Materials 17 ページ: 1652-1654
  • 査読あり
• [学会発表] RF スパッタリング法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング(v) (2009)
  • 著者名/発表者名: 遠江栄希,増田幸久,山里将朗,比嘉晃
  • 学会等名: 第56 回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] RF スパッタリング法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング(IV) (2008)
  • 著者名/発表者名: 遠江栄希,山里将朗,比嘉晃
  • 学会等名: 第69 回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] RF スパッタリング法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング(III) (2008)
  • 著者名/発表者名: 斉田幸宗,遠江栄希,山里将朗,比嘉晃
  • 学会等名: 第55 回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日本大学
  • 年月日: 2008-03-29
• [学会発表] スパッタ法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング効果 (2007)
  • 著者名/発表者名: 斉田幸宗 ,遠江栄希,山里将朗,比嘉晃
  • 学会等名: 第21 回ダイヤモンドシンポジウム
  • 発表場所: 長岡技術科学大学
  • 年月日: 2007-11-21
• [学会発表] edoping phenomenon of iodine-doped a-C:H films, 18th European Conference on Diamond (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Yamazato, Y. Saida, A. Higa, M.Toguchi
  • 学会等名: Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
  • 発表場所: Berlin (Germany)
  • 年月日: 2007-09-10
• [学会発表] RF スパッタリング法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング(II) (2007)
  • 著者名/発表者名: 斉田幸宗,佐藤政峰,遠江栄希,山里将朗,比嘉晃
  • 学会等名: 第68 回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学
  • 年月日: 2007-09-05