電界効果MOCVDによるナイトライド半導体の結晶成長

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19560321
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東海大学
• 研究代表者: 犬島 喬 東海大学, 工学部, 教授 (20266381)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: 電気 / 電子材料

研究概要

ナイトライド半導体AlNとInNの結晶作成時と降温時に結晶c-軸方向に高電界を印加して結晶の分極方向を制御することを試みた。MOCVD装置内に設置した石英製インナー管の基板上部3ミリの位置に上部Mo電極を配し、結晶を成長させるMoサセプタを下部電極としてこの両電極間に1kV/cmの電界を印加した。AlNでは明確な電界効果が観測され、電界の方向にそろった単一ドメイン構造結晶を得たが、InNについては明確な効果は観測されなかった。

研究成果

• [雑誌論文] Impurity band structure of boron-doped homoepitaxail diamond (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Inushima, R. F. Mamin and H. Shiomi
  • 雑誌名: Phys. Rev. B79 ページ: 045210
  • 査読あり
• [雑誌論文] Crystal growth of InN by MOCVD with electric field along the c-axis (2009)
  • 著者名/発表者名: Yuichi Ota, Ramkrishna Biswas, Masaaki Higo and Takashi Inushima
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 311 ページ: 2806
  • 査読あり
• [雑誌論文] Phonon polariton of InN observed by infrared synchrotron radiation (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Imushima, K. Fukui, H. Lu and W. J. Schaff
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 92 ページ: 171905
  • 査読あり
• [雑誌論文] Phonon-polariton of Superconducting InN observed by Far-infrared Synchrotron Radiation (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Inushima, Y. Ota, T. Yamnagawa and K. Fukui
  • 雑誌名: UVSOR activity report ページ: 92
• [学会発表] 電界効果MOCVDによるAlNの合成と評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 太田優一,犬島 喬
  • 学会等名: 第56回応用物理連合講演会
  • 発表場所: 筑波
  • 年月日: 20090300
• [学会発表] フォノンポラリトンによるGaNとInNの結晶性比較 (2009)
  • 著者名/発表者名: 大塚恭弘,太田優一,犬島 喬,柳川徹、福井一俊
  • 学会等名: 第56回応用物理学会
  • 発表場所: 筑波
  • 年月日: 20090300
• [学会発表] Crystal growth of InN by MOCVD under strong electric field along c-axis, 2nd International Symposium on growth of III-nitrides (2008)
  • 著者名/発表者名: Yuichi Ota, Ramkrishna Biswas, Masaaki Higo and Takashi Inushima
  • 学会等名: Japan Association for Crystal Growth Cooperation
  • 年月日: 20080700