研究課題/領域番号 |
19560322
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研究機関 | 神奈川工科大学 |
研究代表者 |
宇野 武彦 神奈川工科大学, 工学部, 教授 (50257408)
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研究分担者 |
野毛 悟 沼津工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 (10221483)
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キーワード | 圧電性薄膜 / 薄膜結晶 / ニオブ酸リチウム / ルミネセンス / 光増幅 / シリカガラス / 電子線発光 / 温度センサ |
研究概要 |
前年度につづき、下記2項目を重点に、研究を進めた。 (1)クリスタルコンタクトエピタクシー法による薄膜形成技術について、汎用性の高いシリカ上の薄膜において光学薄膜および圧電性薄膜の結晶方位の制御を目標としている。これまでに、セリウム置換YIG(Ce: YIG)において結晶方位の制御が可能であり、その再現性についてある程度の見通しを得た。ニオブ酸リチウム(LN)薄膜については再現性に乏しく、原因を検討した。その結果、結晶化における温度分布が最大の問題点であると見られ、マイクロヒータの導入など加熱機構の改善を進めた。また、温度分布の正確なコントロールのため、β水晶を用いる方法を考案し、開発をすすめた。平成21年度にはこれらの改善による結晶化制御と再現性向上のための処理条件を明らかにする予定である。 (2)シリカ超構造薄膜では、紫外光励起による可視光のルミネセンスについて、400〜600nmの範囲での発光スペクトルを観測しているが、励起スペクトルについて検討の結果、励起波長のピークはほぼ250nm付近にあることを明らかにした。これまでに、石英基板上に形成した超構造薄膜により、400nm帯の誘導放出(光増幅)を観測しているが、さらにシリコン基板上形成膜においても光増幅を確認した。また、弾性波による光増幅の制御を目指し、ニオブ酸リチウム基板への超構造薄膜の形成条件を検討し、形成条件が可能となった。これによる光増幅も確認したが、石英基板やシリコン基板上の膜よりも増幅率が小さく、形成条件について検討をすすめている。デバイス化を目指して、超構造薄膜による光導波路形成法を検討し、基本的な条件を明らかにした。励起法について検討を行い、電子線照射による可視発光を確認した
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