シリコン半導体極浅接合形成のための超低エネルギーイオン注入技術の開発

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19560330
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 独立行政法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 山本 和弘 独立行政法人産業技術総合研究所, 計測フロンティア研究部門, 主任研究員 (90358292)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: イオン注入 / シリコン / ボロン / 超低エネルギー / 極浅接合

研究概要

シリコン半導体デバイスの高集積化に伴い2014年にはチャネル部分のド.パント層の厚さはおよそ10nmになるとされている。従来の高エネルギーイオン注入法では極浅ドーピン部層の形成が困難であった。本研究では1keV以下の超低エネルギーイオン注入技術を開発した。シート抵抗は最小値3kΩ/□を示し、イオンエネルギーが30eVのときの注入深さは1.2nm、500eVのときの注入深さは8nmであった。

研究成果

• [雑誌論文] Ultralow-Energy Boron-Ion Implantation ofsilicon (2008)
  • 著者名/発表者名: Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 47 ページ: 23-25
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ultra-low-energy ion implantation to decrease the resistance of silicon (2007)
  • 著者名/発表者名: Kazuhiro Yamamoto
  • 雑誌名: AIST today international 25 ページ: 22
• [学会発表] 超低エネルギーイオン注入によるシリコン極浅ドーピング層の形成 (2009)
  • 著者名/発表者名: 山本和弘, 井藤浩志
  • 学会等名: 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-03-31
• [学会発表] Ultra-low-energy boron ion implantation of silicon (2007)
  • 著者名/発表者名: Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh
  • 学会等名: 17th International Vacuum Congress and 13th International Conference on Surface Science
  • 発表場所: Stockholm
  • 年月日: 2007-07-03
• [産業財産権] ダイヤモンドへの異種元素導入方法 (2009)
  • 発明者名: 山本和弘, 吉田博昭
  • 権利者名: 産業技術総合研究所
  • 産業財産権番号: 特許4280818
  • 取得年月日: 2009-03-27