Geチャネルデバイスのための浅接合形成と素子分離に関する研究

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19560344
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 広島大学
• 研究代表者: 芝原 健太郎 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (50274139)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: ゲルマニウム / プレアモルファス化 / 浅接合

研究概要

Xe及びGeを用いたPAI(プレアモルファス化注入)をAs注入と併用し、Geの浅接合形成を行った。いずれの場合も、PAIの併用によりAs拡散を抑制することができたが、Asの活性化の悪化に伴うと思われるシート抵抗の上昇が見られた。Xeフラッシュランプを用いたミリ秒オーダの短パルスアニールを施すと、PAIを用いた場合は固相成長が大幅に遅くなることが見いだされた。一方、フラッシュランプによるミリ秒アニールは拡散抑制に有効であり、活性化も良好で、浅接合形成に適していた。

研究成果

• [学会発表] Anomalous Amorphization Resistance of Ge against (11)^B^+ Implantation (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Shibahara, T. Eto and T. Fukunaga
  • 学会等名: The 9th International Workshop on Junction Technology 2009
  • 発表場所: Kyoto, Japan(to be presented)
  • 年月日: 20090611-12
• [学会発表] Critical Amorphization Dose and Amorphization Mechanism for Ion Implantation into Germanium (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Osada and K. Shibahara
  • 学会等名: Conf. Digest of The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 20090514-15
• [学会発表] Ge Shallow Junction Formation by As implantation and Flash Lamp Annealing (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Osada and K. Shibahara
  • 学会等名: Proceedings of 2009 Int. Symp.on VLSI Technology, Systems, and Applications
  • 発表場所: Hsinchu, Taiwan
  • 年月日: 20090427-29
• [学会発表] 極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス (2008)
  • 著者名/発表者名: 長田光生, 芝原健太郎
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究報告
  • 発表場所: 京都府京都市
  • 年月日: 2008-12-05
• [学会発表] As, P, B注入によるGe基板のアモルファス化 (2008)
  • 著者名/発表者名: 長田光生, 福永哲也, 芝原健太郎
  • 学会等名: 応用物理学関係連合講演会講演予稿集
  • 発表場所: 千葉県船橋市
  • 年月日: 2008-03-29
• [学会発表] GeへのSD拡散層形成技術 (2008)
  • 著者名/発表者名: 芝原健太郎
  • 学会等名: 応用物理学関係連合講演会講演予稿集
  • 発表場所: 千葉県船橋市
  • 年月日: 2008-03-28
• [学会発表] Xe+プレアモルファス化注入を用いたGe n^+/p接合形成 (2007)
  • 著者名/発表者名: 福永哲也, 芝原健太郎
  • 学会等名: 電子情報通信学会SDM2007年12月研究会
  • 発表場所: 奈良県生駒市
  • 年月日: 2007-12-14
• [学会発表] 低ドーズXe^+プレアモルファス化注入を用いたGeのn^+/p接合形成 (2007)
  • 著者名/発表者名: 福永哲也, 芝原健太郎
  • 学会等名: 応用物理学会学術講演会講演予稿集
  • 発表場所: 北海道札幌市
  • 年月日: 2007-09-06