研究課題
基盤研究(C)
種々の条件下でPC及びPET基板上にZnO-In_2O_3系アモルファス透明導電膜を作製した。GaやAl等のドーパントを用いることで、(1)ガラス基板上に作製したアモルファス薄膜に匹敵する低い抵抗率の膜を製膜すること、(2)基礎吸収端の位置を僅かではあるが短波長側にシフトさせ、光学窓をより大きくとることが可能となった。
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