窒化ケイ素-粒界相界面における希土類イオン偏析現象の解明

2009 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19560684
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 福岡工業大学
• 研究代表者: 北山 斡人 福岡工業大学, 工学部, 教授 (10330945)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2009
• キーワード: 窒化ケイ素 / 粒界 / 界面 / 希土類イオン / 偏析

研究概要

焼結助剤としてランタノイド中最もイオン半径の大きなLaと最も小さなLuの酸化物を選択し、(1-x)La_2O_3+xLu_2O_3(x=0,0,1,0.2,0.3,…,1)の混合比で窒化ケイ素焼結体を作製し、その…転移の活性化エネルギーを決定した。その結果、x=0.3でx=1の値にほぼ等しくなった。このことは、イオン半径の小さな希土類元素が、より強く窒化ケイ素粒界界面に結合することを強く示唆する。

研究成果

• [雑誌論文] Anisotropic Ostwald Ripening in Silicon Nitride: On the Reaction-Controlled Kinetics (2010)
  • 著者名/発表者名: 北山幹人
  • 雑誌名: Materials Science Forum 638-642 ページ: 2598-2603
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of Porous Silicon Nitride with Tailor-made Pore Structure for Bio-Filter: II. Development of Tape Casting Process and Strength of Porous Body (2009)
  • 著者名/発表者名: 松岡剛、白石諒、太田能生、北山幹人
  • 雑誌名: J. MMIJ 125 ページ: 502-6
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of Porous Silicon Nitride with Tailor-Made Pore Structure for Bio-Filter: I. Search of Sintering Aids (2008)
  • 著者名/発表者名: 阿南努、太田能生、北山幹人
  • 雑誌名: J. MMIJ 124 ページ: 245-48
  • 査読あり
• [学会発表] ナノーマイクロ複合細孔構造を有する窒化ケイ素多孔体の開発 (2009)
  • 著者名/発表者名: 松岡剛、白石諒、太田能生、北山幹人
  • 学会等名: 日本セラミックス協会第22回秋季シンポジウム
  • 発表場所: 愛媛大学
  • 年月日: 2009-09-18
• [学会発表] Anisotropic Ostwald Ripening in Silicon Nitride: On the Reaction-Controlled Kinetics (2009)
  • 著者名/発表者名: 北山幹人
  • 学会等名: International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
  • 発表場所: ベルリン
  • 年月日: 2009-08-29
• [学会発表] ナノーマイクロ細孔構造を有する窒化ケイ素多孔体の開発 (2008)
  • 著者名/発表者名: 阿南努、松岡剛、太田能生、北山幹人
  • 学会等名: 日本セラミックス協会第21回秋季シンポジウム
  • 発表場所: 北九州蟹際会議場
  • 年月日: 2008-09-19
• [図書] 熱伝導率・熱拡散率の制御と測定評価方法 (2009)
  • 著者名/発表者名: 北山幹人
  • 総ページ数: 124-133