研究課題
基盤研究(C)
次世代高性能省電力磁気センサであるGIGSに用いられる金属-絶縁体ナノグラニュラーTMR膜の高性能化を目的とし、膜組成、作製条件、および膜構造のTMRに及ぼす影響を詳細に検討した。その結果、以下の成果を得た。1)新組成系であるFeCo-(Si)-AlF系膜のTMRの加熱に対する挙動は、良好な耐熱性を示す。2)加熱基板上に作製した膜は、良好な耐熱性を示し、弱磁界でTMRの大きな磁界感度を有する。3)微量Siを含む膜は、加熱による構造変化が抑制され、そのためにTMRの良好な耐熱性を示すことが明らかになった。
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Journal of Physics, Conference Series 191
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