Si(001)基板上での傾斜(111)面と単分子層を利用した薄膜形成

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19569003
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 富山大学
• 研究代表者: 斉藤 光史 富山大学, 地域連携推進機構・産学連携部門, 研究員 (70452092)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: ヘテロエピタキシャル成長 / インジウムアンチモン(InSb) / シリコン(Si) / MBE

研究概要

本研究では、Si基板上における良質なInSb, AlInSb薄膜の形成を目指した。Si基板上での低消費電力高速論理回路のためのInSb-basedデバイス集積化を将来的な目標とする。Si基板とInSb,AlInSb間の大きな格子不整合の問題を解決するために、1)InSb/Si, AlInSb/Si間にInSb単分子層の導入2)Si(001)基板上に傾斜(111)面の形成、を行うことで、従来の直接成長と比べ、薄く品質の良い薄膜形成が可能である事を示した。

研究成果

• [雑誌論文] High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb bi-layer (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Mori, M. Saito, K. Nagashima, K. Ueda, T. Yoshida, C. Tatsuyama, K. Maezawa
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nano Technology Vol.7 ページ: 145-148
• [雑誌論文] Effect of In and Sb monolayers to form rotated InSb films on Si(111) substrate (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Saito, M. Mori, K. Maezawa Appl
  • 雑誌名: Surf. Sci 254 ページ: 6052-6054
• [雑誌論文] Heteroepitaxial InSb films grown via Si(111)-7x3-In surface reconstruction (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Mori, M. Saito, K. Nagashima, K. Ueda, Y. Yamashita, C. Tatsuyama, T. Tambo, K. Maezawa
  • 雑誌名: Phys. Stat. Sol (c)5, No.9 ページ: 2772-2774
• [雑誌論文] Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111)substrate
  • 著者名/発表者名: M. Saito, M. Mori, K. Ueda, K. Maezawa
  • 雑誌名: Phys. Stat. Sol.(c)(accepted) : Refereed
• [雑誌論文] Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001)substrate
  • 著者名/発表者名: M. Mori, M. Saito, H. Igarashi, T. Iwasugi, N. B. Ahmad, K. Murata, K. Maezawa
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nano Technology (accepted) : Refereed
• [学会発表] Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001)substrate (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Mori, M. Saito, H. Igarashi, T. Iwasugi, N. B. Ahmad, K. Maezawa
  • 学会等名: 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5)
  • 発表場所: Waseda University, Tokyo, Japan
  • 年月日: 20081109-13
• [学会発表] Inprovement of rotated InSb films by additional In adsorption onto initial InSb bi-layer (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Saito, M. Mori, C. Tatsuyama, K. Maezawa
  • 学会等名: 8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-8)
  • 発表場所: Tohoku University, Sendai, Japan
  • 年月日: 20081019-23
• [学会発表] High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb bi-layer (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Mori, M. Saito, K. Nagashima, K. Ueda, T. Yoshida, C. Tatsuyama, K. Maezawa
  • 学会等名: 8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-8)
  • 発表場所: Tohoku University, Sendai, Japan
  • 年月日: 20081019-23
• [学会発表] Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111) substrate (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Saito, M. Mori, K. Ueda, K. Nakatani, K. Maezawa
  • 学会等名: 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2008)
  • 発表場所: Europa-Park, Rust, Germany
  • 年月日: 20080921-24
• [学会発表] Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(111) substrate via InSb bi-layer (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Mori, M. Saito, K. Nagashima, K. Ueda, T. Yoshida, Y. Shinmura, K. Maezawa
  • 学会等名: 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008)
  • 発表場所: Univ. of British Columbia, Vancouver, Canada
  • 年月日: 20080803-08
• [学会発表] InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 (2008)
  • 著者名/発表者名: 中谷公彦、斉藤光史、上田広司、森雅之、前澤宏一
  • 学会等名: 秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛知県春日井市・中部大学
  • 年月日: 2008-09-04
• [学会発表] (111)面パターンを形成したSi(100)基板上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 (2008)
  • 著者名/発表者名: 五十嵐弘樹、森雅之、斉藤光史、岩杉達矢、ノルスルヤティ ビンティ アハマド、前澤宏一
  • 学会等名: 秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛知県春日井市・中部大学
  • 年月日: 2008-09-04
• [学会発表] Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 (2008)
  • 著者名/発表者名: 斉藤光史、森雅之、上田広司、前澤宏一
  • 学会等名: 電気通信学会 電子デバイス研究会
  • 発表場所: 石川県金沢市・金沢大学
  • 年月日: 2008-06-14
• [学会発表] InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜の成長 (2008)
  • 著者名/発表者名: 斉藤光史、森雅之、上田広司、吉田達雄、新村康成、前澤宏一
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 千葉県船橋市・日本大学 理工学部
  • 年月日: 2008-03-29
• [学会発表] Effect of In and Sb monolayers to form rotated InSb films on Si(111) substrate (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Saito, M. Mori, K. Maezawa
  • 学会等名: 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-5)
  • 発表場所: Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, Japan
  • 年月日: 20071112-15