| 研究概要 |
有限要素法を用いて種々の形状のステントモデルを作成した。それぞれのモデルに対してRF磁場の方向を変化させたときの誘導される磁場分布のシミュレーションを行った。RF磁場とステントの相互的な配置によって誘導される磁場の分布に大きな差が示された。またステントの形状を変えることにより,RF磁場を乱さないステントの作製が可能であることが示された.
このシミュレーションの結果をもとにして,無誘導型ステントを作製した。
シミュレーション結果にもとづいて作製した無誘導型ステントと従来の方法で作製したステントをゲル状ファントム(CAGNファントム)に挿入し,1.5TMRI装置にて撮像した。その結果,従来のステントにおいてはステント内部が黒く描出され,ステント内のRF磁場が減弱されていることが示された。しかし無誘導型ステントにおいてはステント内部はその周囲と同じ濃度で描出され,ステント内のRF磁場は減弱されていないことが示された。
今後この結果をもとにして,強度,弾性,挿入性を考慮したステントについて検討を行う。
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