| 研究概要 |
研究初年度において、電気的コンタクト、機械的構造体の転写の検討を行った。下記にそれぞれの具体的な研究実績について述べる。
1、電気的コンタクトの検討: 多段のスタンピング転写を行う際に、それらの間で電気的なコンタクトが必要となることが多いため検討を行った電気的コンタクトの方法として鏡面同士の直接接合のほか、低融点半田を用いた接合を検討する。大きな電流が流れないような静電駆動型のアクチュエータにおいては、鏡面同士の直接接合でも十分であることが得られた。また、低融点半田として、融点47℃のウッドメタル合金(Sn8.3%,Bi44.7%,Pb22.6%,Cd5.3%,Inl9.1%)を検討した。その結果,フレキシブル基板に大きなダメージを与えることなく用いることが可能であることが得られた。
2、機械的構造体の転写の検討: SOI (Silicon on Insulator)ウェハ上で作成した部品構造をPDMS (poly-dimethyl siloxane)シートへ転写するスタンピング転写によって、3次元構造をもつ機械的構造体を製作することの検討を行った。その結果、2段階のスタンピング転写において、転写率80%以上、転写位置制度2μm以下のスタンピング転写を実現した。転写率・転写位置制度においては、転写基板と被転写基板の平行度が特に重要であることを得た。また、2段階のスタンピング転写によって、3次元構造をもつ機械的構造体MEMSデバイスを製作した。
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