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本研究は、面内構造素子を用いて、より機能的なスピントロニクス素子(具体的には、多端子からなるスピン能動素子、スピン論理回路)を試作し、次世代スピントロニクス素子として実現ざれる素子を開発することを目的とする。本年度は、それらの素子において基本技術となりうる、スピンホール効果の電気的検出や多端子スピン注入による蓄積スピンの量子化軸方向電気的制御法の確立に成功した。これにより、磁場を使うことなく、スピントロニクス素子の動作させることが可能になった。また、白金で観測されたスピンホール効果は、これまでに観測された半導体中のものに比べて、1万倍以上大きな効果を示すことが分かり、スピンホール素子の実現に大きく貢献した。また、スピン伝送技術において重要になる、スピン散逸過程の詳細を実験的に明らかにし、銅細線においては、表面酸化層の影響により、低温でスピン緩和が大きくなることも発見した。これらは、微細なスピントロニクス素子において重要になる表面効果のスピン伝導への影響を具体的に示した初めての結果である。
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