研究課題
若手研究(A)
深紫外半導体発光デバイス材料として期待されている窒化アルミニウム(AlN)の基礎物性を解明するため、pn接合型AlN深紫外発光ダイオード(LED)などを作製して、それらの特性を評価した。まず、AlNの励起子物性、結晶欠陥の光電子物性、p型ドーピング機構などを解明した。また、AlNはバンド構造の特殊性から、従来の半導体にはなかった強い偏光性を有することを明らかにした。このAlN特有の強い偏光性を活かした高効率AlN深紫外LED構造を提案して、動作確認を行った。
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NTT Technical Review (掲載予定)
Applied Physics Letters Vol.96
ページ: 221110
NTT技術ジャーナル 6巻
ページ: 40829
応用電子物性分科会誌 16巻、第2号
ページ: 57-62
Applied Physics Letters Vol.95
ページ: 031903
Diamond & Related Materials Vol.17
ページ: 1273-1277
Applied Physics Letters Vol.90
ページ: 261911
化学と工業 8巻
ページ: 783-785
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