研究課題
若手研究(A)
薄膜中への酸素や水分の混入を防ぎ、かつ、成長表面のその場観察が可能な気相成長装置を立ち上げ、高融点かつ高電気伝導性を有する二ホウ化ジルコニウムの薄膜をシリコン、サファイア、窒化ガリウム上にエピタキシャル成長した。成長中の表面再構成構造のその場観察から、基板由来の元素が表面反応に大きく寄与していること、また、基板-ホウ化物結晶の界面構造の安定性が薄膜中の結晶の配向を支配していることが明らかとなった。
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J. Appl. Phys. 106
ページ: 063531(1-3)