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極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe3Si ナノドットを超高密度(>10^>12cm-2)に形成する技術を開発した。鉄とSiの組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nm サイズの半球状Fe3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。
極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe_3Siナノドットを超高密度(>10^<12>cm^<-2>)に形成する技術を開発した。鉄とSi の組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nmサイズの半球状Fe_3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。
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