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スピンホール効果における試料の形状や電極の効果について研究し、電荷の物理にはない、スピンの非保存性に根ざした新しい伝導現象の学理、スピン流の物理を確立する。金属・半導体でのスピンホール効果については、スピン流の電極・界面付近での変化を解明し、境界条件(試料界面、電極など)のコントロールにより、電極に誘起されるスピン流を大きくするという、「実空間でのデザイン」を行う。これと、ベリー位相の考察による「波数空間のデザイン」と併用してスピンホール効果の巨大化を目指す。また量子スピンホール相において、バルクで隠れていたトポロジカルな性質を、試料形状や界面の効果を利用して解明し、実証実験を提案する。
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