研究課題
若手研究(B)
Ru酸化物Ba_<1-x>Sr_xRuO_3の異常ホール効果の研究を行った。x = 1においては、常磁性領域 (T>160K) および60K以上の強磁性領域では、異常ホール係数はスキュー散乱、サイドジャンプ散乱の2つの散乱メカニズムで説明できた。60K以下では、磁場依存性、温度依存性両方に異常が見られた。また、x = 0.8ではこれらの異常が消失していることが観測された。構造解析の結果、x = 1では60K以下で結晶格子の対称性の低下が観測されたが、x = 0.8では観測されなかった。以上の結果より、x = 1における異常ホール効果の「異常」は、構造変化に伴うフェルミ面の変調が、主にサイドジャンプ散乱の特性を変化させていることによるものと考えられる。
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