| 研究概要 |
現代の高度情報社会を支える基幹技術として磁気記憶媒体の高記憶密度技術がある。今後社会的に要求されるさらなる高記憶密度の実現のためには非常に微小な磁性体の磁化コントロールを行う必要がある。その磁化り効率的なコントールのキーとなる物理現象が本研究の研究対象となる磁場、電流誘起の磁壁運動である。その中でも我々はスピシ流下でのピン止めポテンシャル中での磁壁の他自由度系としての運動の素過程を明らかにするために,磁壁中の一つの微小要素に着目しそこでの磁壁のピン止め中でのダイナミクスを解析する理論,数値シミュレーションプログラムの開発を行った。このようなピン止あされた一つの磁壁はそのまま磁気記録読み取りデバイスへの応用が期待されているナノスケールの磁気細線や磁性体問の分子ブリッジによる磁壁スピンバルブでの磁壁運動にも対応し,巨視的な磁壁運動の素過程を明らかにするためだけではなく,ミクロな磁気デバイス中の解析に直接応用でき,非常に意義がある。
我々は本研究で開発じたLIG方程式と有限要素法に基づく数値シミュレーションプログラムを応用し,そのようなナノスケールのブリッジにピン止めされでいる磁壁構造のシステムスケールや形状に対する依存性を明らかにした。その研究において双極子相互作用と交換相互作用,表面効果の三つの模型の構成要素が競合する領域で,今までに知られていない新たな磁壁構造が現れることを明らがにし,その磁気構造が他のよく知られている磁壁棲造とは独立した磁気相であることを数値シミュレーションで実証した。今後,本課題における来年度の研究において実際に電流を入れた場合に発展させ磁気抵抗効果の研究や、熱カ字極限での磁壁連動を記述する基礎方程式を導く研究につなげる予定ある。
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