強レーザー場電子散乱によるドレスト状態測定

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19750003
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 物理化学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 歸家 令果 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教 (10401168)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: 分子動力学 / 強光子場科学

研究概要

強光子場中の分子ダイナミクスに対するドレスト状態(光と分子が強く結合した状態)の寄与を解明することを目的として、分子のドレスト状態の特性を直接観測するための分子-電子散乱実験装置の開発を行った。開発した装置の性能評価実験と電子軌道シミュレーション計算を行った結果、目標とする強レーザー場特有の電子散乱現象を初めて観測するために必要な装置性能を満たすことが確認された。