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2007 年度 実績報告書

金属錯体半導体を用いたアンバイポーラーTFTデバイスの開発

研究課題

研究課題/領域番号 19750154
研究機関北海道大学

研究代表者

野呂 真一郎  北海道大学, 電子科学研究所, 助教 (70373347)

キーワード金属錯体 / 電界効果トランジスタ / 薄膜
研究概要

有機薄膜トランジスタ(organic thin-film transistor (OTFT))は、シリコンを中心とする無機半導体をベースとした既存のトランジスタでは容易に実現できない優れた特徴(分子の多様性・機械的フレキシビリティー・シンプルな作成プロセス・大面積化・低温プロセス・ローコスト)を有するため次世代エレクトロニクス素子として注目されている。特に、論理回路や発光トランジスタヘの応用を目指したアンバイポーラーOTFTの開発が近年精力的に行われてきた。しかしながら、p型・n型共に高移動度を示す単一成分アンバイポーラーTFT材料は限られている。優れたアンバイポーラー特性を示す半導体材料の設計指針を得るためには、新規半導体材料の系統的な開発研究が必要不可欠である。
このような背景から、本研究ではHOMO及びLUMOレベルを独立に精密制御できる混合配位子金属錯体を系統的に設計・合成し、大気中で安定にかつ高性能で作動する単一成分アンバイポーラーTFTデバイスの創製を目指す。本年度の研究では、長さの異なる長鎖アルキル基を導入した金属錯体半導体のスピンコート法による薄膜作製・構造評価・及びTFT特性について検討を行った。PtイオンにC_<17>H_<35>基がついたビピリジン配位子及びo-キノン配位子が配位した金属錯体のスピンコート膜は高い1軸配向性を有しており、室温でも構造変化せずに安定に存在することが明らかとなった。その結果、この薄膜を半導体層として用いたTFTデバイスはp型の特性を示した。一方長鎖アルキル基をC_9H_<19>基に変えると、時間経過と共に構造転移することが分かった。よって、アルキル基長を変えることによって薄膜構造の安定性を制御できることが明らかとなった。

  • 研究成果

    (7件)

すべて 2008 2007

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (6件)

  • [雑誌論文] Ambipolar, Single-Component, Metal-Organic Thin-Film Transistors with High and Balanced, Hole and Electron Mobilities2008

    • 著者名/発表者名
      Shin-ichiro Noro, Taishi Takenobu, Yoshihiro Iwasa, Ho-Chol Chang, Susumu Kitagawa, Tomoyuki Akutagawa, and Takayoshi Nakamura
    • 雑誌名

      Adv. Mater. 20

      ページ: 3399-3403

    • 査読あり
  • [学会発表] Structures and ELectronic Properties of Thin Films Constructed from Metal Complexes with Redox-Active o-Quinone Ligands2008

    • 著者名/発表者名
      Shin-ichiro Noro, Tomoyuki Akutagawa, Takayoshi Nakamura, and Ho-Chol Chang
    • 学会等名
      8th International Conference on Nano-Molecular Electronics
    • 発表場所
      神戸
    • 年月日
      2008-12-16
  • [学会発表] Ambipolar, single-component, metal-organic thin-film transistorss2008

    • 著者名/発表者名
      Shin-ichiro Noro, Taishi Takenobu, Yoshihiro Iwasa, Tomoyuki Akutagawa, and Takayoshi Nakamura
    • 学会等名
      20th Korea-Japan Joint Forum
    • 発表場所
      千葉
    • 年月日
      2008-10-23
  • [学会発表] オルトキノン金属錯体を用いたTFTデバイスの構築2008

    • 著者名/発表者名
      野呂真一郎
    • 学会等名
      特定領域研究「新しい環境下における分子性導体の特異な機能の探索」第8回シンポジウム
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2008-01-07
  • [学会発表] オルトキノン金属錯体を用いたアンバイポーラーTFTでバイの構築2007

    • 著者名/発表者名
      野呂真一郎、竹延大志、芥川智行、中村貴義、岩佐義宏、張浩徹、北川進
    • 学会等名
      第1回分子科学討論会
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2007-09-17
  • [学会発表] オルトキノン金属錯体によるアンバイポーラーMOTFTデバイスの構築2007

    • 著者名/発表者名
      野呂真一郎、竹延大志、芥川智行、中村貴義、岩佐義宏、張浩徹
    • 学会等名
      特定領域研究「新しい環境下における分子性導体の特異な機能の探索」第7回シンポジウム
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-07-20
  • [学会発表] ラジカル配位子が配位した金属錯体によるアンバイポーラーMOTFTデバイスの構築2007

    • 著者名/発表者名
      野呂真一郎、竹延大志、芥川智行、中村貴義、岩佐義宏、張浩徹
    • 学会等名
      東北大学金属材料研究所研究会「有機トランジスタの学理と応用」
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2007-06-28

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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