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2008 年度 研究成果報告書

半導体量子構造における対称性の操作と光物性の制御

研究課題

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研究課題/領域番号 19760007
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関京都工芸繊維大学

研究代表者

山下 兼一  京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 助教 (00346115)

研究期間 (年度) 2007 – 2008
キーワード結晶工学 / 電子・電気材料 / 半導体物性 / 光物性 / 量子井戸
研究概要

本研究では、結晶構造の対称性操作により半導体の光学物性が制御できることを示すために、量子構造を形成した半導体発光材料の光学的異方性を評価した。偏光フォトリフレクタンスの測定結果より、電子エネルギー帯構造の結晶面方位異方性と光学遷移強度の相関を明らかにした。特に、高次のエネルギー遷移を含んだ広いスペクトル領域での光学遷移異方性を初めて実験的に示し、理論から予測されていた基礎物性と比較、検討した。

  • 研究成果

    (2件)

すべて 2007

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (1件)

  • [雑誌論文] Anisotropic optical transitions in [110]-oriented semiconductor quantum well studied by photoreflectance spectroscopy2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yamashita, H. Asai, and K. Oe
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46

      ページ: 1536-1539

    • 査読あり
  • [学会発表] Experimental Investigation of Anisotropic Optical Transition Matrix Elements in [110]-Oriented InGaAs/InAlAs Quantum Well2007

    • 著者名/発表者名
      K. Yamashita, et al.
    • 学会等名
      34th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2007-10-15

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公開日: 2010-06-10   更新日: 2016-04-21  

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