研究課題
若手研究(B)
これまで半導体技術は素子の縮小化によって発展を遂げてきたが、近年その縮小化に物理的限界が近づき、新たな技術革新が必須となっている。その中で、シリコン(Si)に結晶歪みを加えた「歪みSi」チャネルが実デバイスに導入されるに至った。今後のさらなるLSIの発展に向けて、この「歪み」の役割がますます高まることは必至であり、歪み制御技術の高度化、新技術開発は最重要かつ不可欠な課題である。本研究では、これまでとは全く異なる新手法を用いた歪みの制御技術開発を行った。具体的には、イオン注入法による選択的欠陥導入を行い、SiGe層における歪み場分布の面内任意制御および異方性歪み場を実現することに成功した。
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Journal of Crystal Growth 311
ページ: 806-808
ページ: 825-828
Thin Solid Films 517
ページ: 87-89
ページ: 353-355
Applied Physics Express 1
ページ: 121401
Appl. Phys. Lett 90
ページ: 202101
ECS Transaction 11
ページ: 75