X線回折を利用して、半導体結晶中の埋もれた領域の微小なひずみを次世代シリコンデバイスの評価に対応できる程度の高空間分解能で評価する方法の開発を目指した。様々な方法で作製したシリコン酸化膜および窒化膜の下に誘起された微小なひずみを定量的に評価し、プラズマを利用した酸化あるいは窒化の場合には界面付近に特異的なひずみ緩和構造が存在することを明らかにした。高空間分解能評価のための高性能X線集光素子(レンズ)の設計および試作も行った。設計はTakagi-Taupin型の動力学的回折理論によるシミュレータを開発して行った。試作はWSi_2/Si多層膜をスパッタ成膜装置で積層することにより行った。最後に、高性能X線レンズによって、次世代ひずみシリコンMOSFET内部の三次元的なひずみの分布を非破壊で可視化する新しい評価方法の可能性について検討した。
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