飛行時間ERDによるシリコン酸化膜・high-k酸化膜中の水素プロファイル測定

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19760024
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 中嶋 薫 京都大学, 工学研究科, 助教 (80293885)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: 薄膜

研究概要

大立体角のディレイラインディテクターを用いた飛行時間型の弾性反跳粒子検出法(飛行時間ERD)を開発し、極薄ゲート絶縁膜(シリコン酸化膜、high-k酸化膜)の膜中の水素プロファイルの測定に応用した。本装置における反跳粒子の検出効率を評価した。ディレイラインディテクター上の検出位置に対応して、反跳粒子のエネルギー(飛行時間)を試料中の水素の深さに換算する解析ソフトの開発を行なった。水素の分析に関する深さ分解能は約10nmで、極薄ゲート絶縁膜を分析する上で目標にした深さ分解能を得ることができなかった。