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2007 年度 実績報告書

金属ゲート/High-k絶縁膜スタック構造のナノスケール界面制御

研究課題

研究課題/領域番号 19760027
研究機関早稲田大学

研究代表者

大毛利 健治  早稲田大学, ナノ理工学研究機構, 准教授 (00421438)

キーワードゲートスタック / high-k絶縁膜 / Ru(ルテニウム) / Mo(モリブデン) / メタルゲート / 仕事関数 / 偏析 / アモルファス
研究概要

本研究課題の目的は、メタル/high-k絶縁膜ゲートスタック構造の界面を理解・制御することである。具体的には、コンビナトリアル手法を用いてRu-Mo合金の組成を変化させる事で結晶構造及び仕事関数の操作をおこなった。その合金をSiO2及びhigh-k絶縁膜の電極として用いる事により、金属本来の仕事関数が、結晶の配向性/粒径によってどのように電気的特性(フラットバンド電圧)に影響を与えるかを詳細に検討した。
Ru-Moは結晶構造がbcc(Mo)からfcc(Ru)へと変化する。べースになる結晶構造がbccであるかfccであるかによって仕事関数のRu濃度依存性は異なる事がわかった。また、Ru濃度60-95%の領域において、金属/絶縁膜界面へMoが偏析し、実効仕事関数を変化させる事を見いだした。この偏析Moによる仕事関数制御は、high-k絶縁膜上で起こるフェルミレベルピニングに対して、耐性がある事が明らかになった。
結晶粒径を制御するためにRu-Mo合金に対して1-10%のC添加を行った。金属ガラスの研究から金属のアモルファス化に際する経験則のうち、「原子半径が12%以上異なる元素を添加する」というものがある。また、結晶合金の共晶点ではアモルファス化がおこりやすい。我々は、C添加によって実際に共晶点近傍に局在するアモルファス領域を拡大する事を実現した。また、約10%のC添加によってRu濃度に関わらずほぼアモルファス化できる事を確認した。金属電極のアモルファス化/微結晶化は、今後ますます微細化が進むデバイスの特性ばらつきの抑制効果が期待される。C添加によって、仕事関数の制御性は変わらない事を確認した。C添加によるアモルファス化は、他の手法(N添加等)に比べてシート抵抗の上昇も低く抑えることができ、非常に有効な手段であると考えている。

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (6件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Control of Crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes for Nano CMOS Devices2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa, Y. Sugita, Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada
    • 雑誌名

      ECS Transactions 13(未定)(印刷中)

    • 査読あり
  • [学会発表] Combinatorial Methodology for the Exploration of Metal Gate Electrodes on HfO2 for the Advanced Gate Stack2008

    • 著者名/発表者名
      Kao-Shuo Chang, Martin Green, John Suehle, Jason Hattrick-Simpers, Ichiro Takeuchi, Kenji Ohmori, T. Chikyow, Stefan De Gendt, Prashant Majhi
    • 学会等名
      213th Meeting of The Electrochemical Society
    • 発表場所
      Phoenix, AZ, USA
    • 年月日
      2008-05-20
  • [学会発表] Control of Crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes for Nano CMOS Devices2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa, Y. Sugita, Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada
    • 学会等名
      213th Meeting of The Electrochemical Society
    • 発表場所
      Phoenix, AZ, USA
    • 年月日
      2008-02-20
  • [学会発表] Wide Controllability of Flatband Voltage by Tuning Crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes2007

    • 著者名/発表者名
      K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa,Y. Sugita, Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada
    • 学会等名
      International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • 年月日
      2007-12-11
  • [学会発表] Landscape of Combinatorial Materials Exploration and Materials Informatics2007

    • 著者名/発表者名
      Chikyow Toyohiro, T. Nagata, N. Umezawa, M. Yoshitake, K. Ohmori, T. Yamada, M. Lippma and H. Koinuma
    • 学会等名
      2007 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2007-11-26
  • [学会発表] ハイスループット材料合成と電子デバイスへの応用2007

    • 著者名/発表者名
      大毛利健治
    • 学会等名
      日本学術振興会 第151委員会公開シンポジウム「ナノ・ハイスループット材料開発への挑戦」
    • 発表場所
      化学会館ホール
    • 年月日
      2007-09-29
  • [学会発表] C添加による金属ゲート材料の結晶構造制御とアモルファス化2007

    • 著者名/発表者名
      大毛利健治、細井卓治、渡部平司、山田啓作、知京豊裕
    • 学会等名
      秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-06
  • [備考] 新聞記事掲載(2007年12月11日)電波新聞、日経産業新聞、化学工業日報、日刊工業新聞(IEDMでの発表内容に関してプレスリリースを行った)

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公開日: 2010-02-04   更新日: 2016-04-21  

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