研究課題
若手研究(B)
本研究は、組織変化を伴う原子輸送による欠陥発生・成長メカニズムを解明し高温環境下での損傷評価手法を確立することを目的としている。局所的なクリープ変形によって形成される多軸応力勾配は、欠陥を急速に成長させる。薄膜-基板界面での微視構造変化を考慮した応力解析を行い、原子輸送による欠陥発生には2種類のモードがあることを明らかにするとともに微視組織変化を考慮した破壊モデルを提案した。また、欠陥発生は結晶サイズに大きく依存することを指摘し、その妥当性をナノインデンテーション法により確認した。
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すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (3件)
エレクトロニクス実装学会誌 12巻、1号
ページ: 53-61
Microelectronics Reliability Vol 48, No. 10
ページ: 1613-1627
Microelectronics Reliability Vol. 48, No. 6
ページ: 1033-1039