化合物半導体ナノポーラス構造を基盤とした量子ナノ構造の3次元ネットワーク化技術

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19760208
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 佐藤 威友 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: 電子・電気材料 / ナノ材料 / 自己組織化 / 表面・界面物性 / 量子閉じ込め

研究概要

電解液と半導体界面の電気化学反応により形成される多孔質(ポーラス)構造を利用し、少ない電子を局所的に閉じ込めて制御する「3次元量子ナノネットワーク」の基礎技術を確立した。本構造は、直径数100nm 深さ数μm の直線的な孔が配列した高密度ナノ構造が基盤となっており、非常に大きな表面積と優れた伝導特性および光学的特性を有し、高感度化学センサや高効率太陽光発電素子の基本構造として有望性を示す一連の研究成果を得た。

研究成果

• [雑誌論文] Photoelectrochemical Etching and Removal of the Irregular Top Layer Formed on InP Porous Nanostructures (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Sato, A. Mizohata
  • 雑誌名: Electrochemical and Solid-State Letters vol.11, no.5 ページ: 111-113
  • URL: http://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/handle/2115/33871
  • 査読あり
• [雑誌論文] Amperometric detection of hydrogen peroxide using InP porous nanostructures (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa, T. Hashizume
  • 雑誌名: Applied Physics Express vol.1, no.5 ページ: 051202
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrochemical Formation of Size-Controlled InP Nanostructures Using Anodic and Cathodic Reactions (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Sato, T. Fujino, T. Hashizume
  • 雑誌名: Electrochemical and Solid-State Letters vol.10, no.5 ページ: 153-155
  • URL: http://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/handle/2115/20209
  • 査読あり
• [雑誌論文] Size-Controlled Porous Nanostructures Formed on InP(001) Substrates by Two-Step Electrochemical Process (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Fujino, T. Sato, T. Hashizume
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 7A ページ: 4375-4380
  • 査読あり
• [学会発表] pH Sensitivity of Liquid-phase Chemical Sensors using InP Open-gate FETs (2008)
  • 著者名/発表者名: N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume
  • 学会等名: International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS5)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20081109-13
• [学会発表] Liquid-phase Chemical Sensors using InP-based Open-gate FETs (2008)
  • 著者名/発表者名: N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume
  • 学会等名: THE SEVENTH IEEE CONFERENCE ON SENSORS (IEEE SENSORS 2008)
  • 発表場所: Lecce, Italy
  • 年月日: 20081026-29
• [学会発表] Complete Removal of Irregular Top Layer forSensor Applications of InP Porous Nanostructures (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa and T. Hashizume
  • 学会等名: 214th Meeting of the Electrochemical Society
  • 発表場所: Honolulu, Hawaii
  • 年月日: 20081012-17
• [学会発表] Electrochemical formation and functionalization of InP porous nanostructures and their application to chemical sensors (2008)
  • 著者名/発表者名: A. Mizohata, N. Yoshizawa, T.Sato and T. Hashizume
  • 学会等名: 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 年月日: 20080709-11
• [学会発表] Electrochemical formation of InP porous nanostructures and its application to amperometric chemical sensors (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Sato, T. Fujino, A. Mizohata, T. Hashizume
  • 学会等名: European Materials Research Society Fall Meeting
  • 発表場所: Warsaw, Poland
  • 年月日: 20070917-21
• [学会発表] Electrochemical formation and sensor application of InP porous nanostructures (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Sato, T. Fujino, T. Hashizume
  • 学会等名: 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
  • 発表場所: Kyongju, Korea
  • 年月日: 20070625-27
• [備考] ホームページ等
  • URL: http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~taketomo/home/index.html