ミクロン領域過剰キャリアライフタイム評価によるSiCデバイス性能劣化欠陥の特定

2009 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19760215
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 名古屋工業大学
• 研究代表者: 加藤 正史 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (80362317)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2009
• キーワード: 作成 / 評価技術

研究概要

本研究はシリコンカーバイト(SiC)デバイスの性能を劣化させる欠陥の同定を目指し、ミクロンオーダーの分解能を有する過剰キャリアライフタイムマッピング装置の作製をしたものである。その結果、シリコン試料におけるライフタイムマップの取得に成功したが、SiCの評価には改善が必要であることが判明した。その一方、様々な欠陥濃度を有するp型SiCの評価を行うことで、炭素に関連する結晶欠陥がp型SiCにおけるキャリアライフタイムに影響することを明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Characterization of the excess carrier lifetime of as-grown and electron irradiated epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method (2010)
  • 著者名/発表者名: Yoshinori MATSUSHITA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Tomoaki HATAYAMA, Takeshi OHSHIMA
  • 雑誌名: Materials Science Forum Vol.645-648 ページ: 207-210
  • 査読あり
• [雑誌論文] マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 松下由憲、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
  • 雑誌名: 信学技報 Vol.108-34 ページ: 95-100
• [雑誌論文] Excess Carrier Lifetime in a Bulk p-type 4H-SiC Wafer Measured by the Microwave Photoconductivity Decay Method (2007)
  • 著者名/発表者名: Masashi Kato, Masahiko Kawai, Tatsuhiro Mori, Masaya Ichimura, Shingo Sumie, Hidehisa Hashizume
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics Vol.46 ページ: 5057-5061
  • 査読あり
• [学会発表] 電子線照射を施したp型4H-SiCエピ膜における熱処理後の過剰キャリアライフタイム (2010)
  • 著者名/発表者名: 加藤正史、松下由憲、市村正也、畑山智亮、大島武
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] CHARACTERIZATION OF P-TYPE 4H-SiC EPILAYERS BY THE MICROWAVE PHOTOCONDUCTIVITY DECAY METHOD (2010)
  • 著者名/発表者名: Yoshinori MATSUSHITA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA
  • 学会等名: 14th National Seminar on Crystal Growth
  • 発表場所: インド、ベロール
  • 年月日: 2010-03-11
• [学会発表] Characterization of the excess carrier lifetime of as-grown and electron irradiated epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method (2009)
  • 著者名/発表者名: Yoshinori MATSUSHITA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Tomoaki HATAYAMA, Takeshi OHSHIMA
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009
  • 発表場所: ドイツ、ニュルンベルク
  • 年月日: 2009-10-12
• [学会発表] P型4H-SiCエピタキシャル膜の過剰キャリア減衰曲線の解析 (2008)
  • 著者名/発表者名: 松下由憲、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
  • 発表場所: 大田区産業プラザ
  • 年月日: 2008-12-08
• [学会発表] 様々な欠陥濃度を有するp型4H-SiCエピタキシャル膜の過剰キャリア減衰曲線の評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 松下由憲、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 松下由憲、加藤正史、市村正也、畑山智亮、大島武
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED2008
  • 発表場所: 名古屋工業大学
  • 年月日: 2008-05-16
• [学会発表] p型4H-SiCエピタキシャル膜の過剰キャリア減衰曲線の評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 松下由憲、加藤正史、市村正也、畑山智亮
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
  • 発表場所: 愛知県女性総合センター
  • 年月日: 2007-11-29