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La(TMOD)3を用いて、Pt層上にLa酸化膜を堆積し、XPSを用いて化学構造を評価した。La(TMOD)3とO2を同時供給した場合(O2分圧:〜60Pa)、La酸化膜厚は、基板温度の上昇および堆積時間の増加に伴い、増大する。O2の同時供給を行わず基板温度200℃でLa酸化膜を堆積した場合、供給時間に依らず、La酸化膜厚は一定であり、前駆体の飽和吸着が確認された。また、飽和吸着後、150℃以上のO2アニールにより、La酸化膜表面を終端しているCOxHyおよび膜中残留炭素の除去に有効であることが分かった。La(TMOD)3による飽和吸着とO2アニールを交互に繰り返すことで、原子層レベルでの膜厚制御が可能であることが示唆された。
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