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2008 年度 研究成果報告書

有機金属錯体を用いたCVDによるLa2O3ゲート絶縁膜の形成と界面物性評価

研究課題

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研究課題/領域番号 19760219
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関広島大学

研究代表者

村上 秀樹  広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 助教 (70314739)

研究期間 (年度) 2007 – 2008
キーワード有機金属錯体 / ゲート絶縁膜
研究概要

La(TMOD)3を用いて、Pt層上にLa酸化膜を堆積し、XPSを用いて化学構造を評価した。La(TMOD)3とO2を同時供給した場合(O2分圧:〜60Pa)、La酸化膜厚は、基板温度の上昇および堆積時間の増加に伴い、増大する。O2の同時供給を行わず基板温度200℃でLa酸化膜を堆積した場合、供給時間に依らず、La酸化膜厚は一定であり、前駆体の飽和吸着が確認された。また、飽和吸着後、150℃以上のO2アニールにより、La酸化膜表面を終端しているCOxHyおよび膜中残留炭素の除去に有効であることが分かった。La(TMOD)3による飽和吸着とO2アニールを交互に繰り返すことで、原子層レベルでの膜厚制御が可能であることが示唆された。

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2009 2008 2007 その他

すべて 学会発表 (5件) 備考 (1件)

  • [学会発表] La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成2009

    • 著者名/発表者名
      要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
    • 学会等名
      第14回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東レ総合研修センター
    • 年月日
      20090122-24
  • [学会発表] La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)32008

    • 著者名/発表者名
      R. Yougauchi, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
    • 学会等名
      The IUMRS International Conference in Asia 2008
    • 発表場所
      Nagoya Congress Center
    • 年月日
      20081209-13
  • [学会発表] La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成2008

    • 著者名/発表者名
      要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      20080902-05
  • [学会発表] The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)32007

    • 著者名/発表者名
      R. Yougauchi, A. Ohta, Y. Munetaka, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
    • 学会等名
      Fifth International Symposiumon Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo Metropolitan University Minami-Osawa Campus
    • 年月日
      20071112-14
  • [学会発表] La-DPM錯体を用いたMOCVDによるLa系酸化薄膜形成とNH3熱処理効果2007

    • 著者名/発表者名
      要垣内亮,大田晃生,宗高勇気,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      20070904-08
  • [備考] ホームページ等

    • URL

      http://home.hiroshima-u.ac.jp/semicon/

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公開日: 2010-06-10   更新日: 2016-04-21  

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