2008 年度研究成果報告書

窒化物系半導体トランジスタのノーマリーオフ・低オン抵抗化

研究課題

研究課題/領域番号	19760244
研究種目	若手研究(B)
配分区分	補助金
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者	井手利英独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 研究員 (90397092)
研究期間 (年度)	2007 – 2008
キーワード	GaN / AlGaN / トランジスタ / ノーマリーオフ / 短ゲート長化 / オン抵抗
研究概要	GaN トランジスタのノーマリーオフ化,低オン抵抗化を微細加工技術の導入により実現した.ノーマリーオフ化はゲートリセス構造を用いることでしきい値電圧+0.5V を実現した.低オン抵抗化についてはゲート長等の素子寸法を短縮することで0.1mΩ・cm2 を実現した.またこれらを両立するゲート構造を提案し電磁界解析,実験ともに実証した.