| 研究概要 |
本研究では,誘電率が負になるメタマテリアルの効率的な構造の開発を目的とした.これまでの構造は,誘電体基板を隙間を開けながら何層も組み合わせるという構造であり製造および使い勝手の面から見て決して良いとはいえないものであった.本研究では,格子構造に着目し,格子構造に金属球を付加することで,負の誘電率が実現できることを数値シミュレーションにより確かめた.開発した構造は,等方性であり,これまでの構造の様に強い異方性を示すこともなく非常に使いやすいと考えられる.なお,マテリアルとして負の透磁率を示す媒質の開発も進められており,本研究で開発した格子構造型メタマテリアルと組み合わせることで,DNG媒質の実用的なデバイスの開発が期待できる.
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