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2007 年度 実績報告書

電子デバイス用基板材料の三次元成形法の開発

研究課題

研究課題/領域番号 19760513
研究機関熊本大学

研究代表者

大津 雅亮  熊本大学, 大学院・自然科学研究科, 准教授 (20304032)

キーワードレーザ加工 / 基板材料 / マイクロデバイス / 三次元成形
研究概要

1.加工装置の作製
現有のYAGレーザマーカ,X-Z自動ステージ,ライン走査型レーザ変位計を組合せて,加工-形状計測-加工・・・が自動で行えるような加工装置を制作した.また加工中の被加工材の表面温度を計測できるようにファイバー式放射温度計を購入し,上記の加工装置に設置した.
2.成形可能な加工条件の探索
厚0.05mmの単結晶シリコン箔と厚さ0.017mmのPd_<40>Ni_<40>P_<20>金属ガラス箔,厚さ0.028mmのPd_<77>Cu_6Si_<17>金属ガラス箔を試料とした.
(1)単結晶シリコン箔はレーザ出力22-28W,走査速度35-65mm/s,デフォーカス距離-7.5-7.5mmで変形が確認された.またレーザ発振モードは連続発振の方がQスイッチパルスモードよりも大きく変形し,Qスイッチ発振周波数は大きく連続発振モードに近い方が変形が大きくなった.最大曲げ角は72.3°であった.
(2)Pd_<40>Ni_<40>P_<20>金属ガラス箔はレーザ出力1-2.5W,走査速度20-70mm/s,デフォーカス距離-24-7.5mmで変形が確認された.またレーザ発振モードは連続発振よりもQスイッチパルスモードの方が大きく変形し,Qスイッチ発振周波数2.5-12.5kHzで安定して変形したがそれ以上では変形が不安定となった.加工後はアモルファス状態であることが確認された.最大曲げ角は86.5°であった.
(3)Pd_<77>Cu_6Si_<17>金属ガラス箔はレーザ出力1-6W,走査速度20-60mm/s,デフォーカス距離-4-4mmで変形が確認された.またレーザ発振モードは連続発振よりもQスイッチパルスモードの方が大きく変形し,Qスイッチ発振周波数2.5-5.0kHzで安定して変形したがそれ以上では変形が不安定となった.加工後はアモルファス状態であることが確認された.最大曲げ角は89.0°であった.

  • 研究成果

    (3件)

すべて 2008 2007

すべて 学会発表 (3件)

  • [学会発表] Laser Forming of single crystalline silicon2008

    • 著者名/発表者名
      Masaaki Otsu
    • 学会等名
      The 1st International Student Conference on Advanced Science and Technology
    • 発表場所
      熊本大学(熊本市)
    • 年月日
      2008-03-14
  • [学会発表] Laser Forming of Single Crystal Silicon2007

    • 著者名/発表者名
      大津雅亮
    • 学会等名
      Asian Workshop on Nano/Micro Forming Technology
    • 発表場所
      札幌市
    • 年月日
      2007-10-26
  • [学会発表] 単結晶シリコンのレーザフォーミング2007

    • 著者名/発表者名
      大津雅亮
    • 学会等名
      日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部共催平成19年度合同学術講演大会
    • 発表場所
      熊本大学(熊本市)
    • 年月日
      2007-06-08

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公開日: 2010-02-04   更新日: 2016-04-21  

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