| 研究概要 |
1. 最適加工条件の探索
(1) Pd基金属ガラス箔として厚さ0.017mmのPd_<40>Ni_<40>P_<20>金属ガラス箔, 厚さ0.028mmのPd_<77>Cu_6Si_<17>金属ガラス箔を試料とした. レーザには波長1064nのYAGレーザを用いた. レーザ出力, レーザ走査速度およびQスイッチ周波数を変えて加工を行った結果, Pd_<40>Ni_<40>P_<20>についてはレーザ出力3.0w, Qスイッチ周波数3.0kHz, 走査速度40mm/sが最適で, Pd_<77>Cu_6Si_<17>についてはレーザ出力1.5W, Qスイッチ周波数3.0kHz, 走査速度40mm/sが最適であることがわかった. また, これらの加工条件で成形したものは, レーザ照射後も結晶化せずにアモルファス状態であることが確認された.
(2) 厚さ0.05mmの単結晶シリコン箔を試料とした時は, レーザ出力25W, レーザは連続発振であるCWモード, 走査速度50mm/sが最適であることがわかった. こららの加工条件で成形したものは, レーザ照射部近傍では単結晶ではなく多結晶化していることが確認された.
2. 三次元成形
単結晶シリコン箔, Pd_<40>Ni_<40>P_<20>金属ガラス箔, 金属ガラス箔をそれぞれ短冊状に切断したもの試料とした. 短冊形状の長手方向に対して斜め方向にレーザを走査することによって, マイクロスプリングやマイクロアクチュエータとして利用できる可能性のあるらせん形状に成形することが出来た.
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