新奇素子構築に向けたエピタキシャル金属/絶縁膜/シリコンカーバイドの創製

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19840016
• 研究種目: 若手研究(スタートアップ)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 物性Ⅰ
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 白澤 徹郎 東京大学, 物性研究所, 助教 (80451889)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: シリコンカーバイド / 表面界面 / 絶縁超薄膜

研究概要

シリコンカーバイド(0001)基板上に成長させた結晶性シリコン酸窒化超薄膜の界面構造と電子状態を明らかにし、さらにその上への金属超薄膜の成長を試みた。X線回折法、光電子分光法、X線吸収・発光分光法、第一原理計算による検証の結果、絶縁膜と基板界面は原子レベルで急峻であり、理想的なバンドオフセット構造を有することを明らかにした。この成果は高性能SiC-MOSデバイスへの適応を期待させるものである。

研究成果

• [雑誌論文] Atomic-layer-resolved bandgap structure of an ultrathin oxynitride-silicon film epitaxially grown on 6H-SiC(0001) (2009)
  • 著者名/発表者名: Tetsuroh Shirasawa, 他17名
  • 雑誌名: Physical Review Brapid communication (掲載決定)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study of the Interface Structure of Epitaxial Ultra-Thin Film by an X-Ray Holographic Imaging Method (2009)
  • 著者名/発表者名: Toshio Takahashi, Tetsuroh Shiarsawa, Kouji Sekiguchi, and Wolfgang Voegeli
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7 ページ: 525-528
  • 査読あり
• [雑誌論文] Interface Structure of an Epitaxial Iron Silicide on Si(111)Studied with X-Ray Diffraction (2009)
  • 著者名/発表者名: Tetsuroh Shiarsawa, Kouji Sekiguchi, Yusaku Iwasawa, Wolfgang Voegeli, and Toshio Takahashi, 他4名
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7 ページ: 513-517
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural Study of the Si(553)-Au Surface (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Takayama, W. Voegeli, T. Shirasawa,K. Kubo, M. Abe, and T. Takahash, 他2名
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7 ページ: 533-536
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface X-ray Diffraction Study of the Metal-Insulator Transiti on onthe Si(553)-Au Surface (2008)
  • 著者名/発表者名: Wolfgang Voegeli, Toru Takayama, Kimitaka Kubo, Makoto Abe, Yusaku Iwasawa, Tetsuroh Shirasawa, and Toshio Takahashi, 他4名
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 6 ページ: 281-285
  • 査読あり
• [雑誌論文] 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析 (2008)
  • 著者名/発表者名: 水野清義, 白澤徹郎, 田中悟, 栃原浩
  • 雑誌名: 応用物理 77 ページ: 1240-1243
• [雑誌論文] SiC上の結晶化SiON超薄膜 (2008)
  • 著者名/発表者名: 白澤徹郎, 水野清義, 栃原浩, 田中悟
  • 雑誌名: 固体物理 43 ページ: 231-237
• [学会発表] X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究 (2009)
  • 著者名/発表者名: 白澤徹郎
  • 学会等名: 日本物理学会第64回年次大会
  • 発表場所: 立教大学
  • 年月日: 2009-03-27
• [学会発表] SiON/SiC(0001)超薄膜の構造と元素選択的電子状態 (2009)
  • 著者名/発表者名: 白澤徹郎
  • 学会等名: 日本物理学会第22回日本放射光学会
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス
  • 年月日: 2009-01-12
• [学会発表] Interface structure of an epitaxial ironsilicide on Si(111) studied widthx-ray diffraction (2008)
  • 著者名/発表者名: Tetsuroh Shirasawa
  • 学会等名: International symposium on surface science and nanotechnology
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2008-11-12
• [学会発表] 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究 (2008)
  • 著者名/発表者名: 白澤徹郎
  • 学会等名: 日本物理学会秋季大会
  • 発表場所: 岩手大学
  • 年月日: 2008-09-22
• [学会発表] 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究 (2008)
  • 著者名/発表者名: 白澤徹郎
  • 学会等名: 日本物理学会第63回年次大会
  • 発表場所: 近畿大学本部キャンパス
  • 年月日: 2008-03-25
• [学会発表] SiON/SiC(0001)超薄膜の放射光軟X線吸収・発光分光 (2008)
  • 著者名/発表者名: 白澤徹郎
  • 学会等名: 第21回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: 立命館大学びわこ・くさつキャンパス
  • 年月日: 2008-01-13
• [学会発表] Dangling-bond-free ordered epitaxial SiON layer on a SiC(0001) surface (2007)
  • 著者名/発表者名: Tetsuroh Shirasawa
  • 学会等名: The 9th international conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures
  • 発表場所: 東京大学駒場キャンパス
  • 年月日: 2007-11-14
• [学会発表] SiC(0001)上のエピタキシャルSiON超薄膜 (2007)
  • 著者名/発表者名: 白澤徹郎
  • 学会等名: 第27回表面科学講演大会第63回年次大会
  • 発表場所: 東京大学駒場キャンパス
  • 年月日: 2007-11-02
• [学会発表] SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態 (2007)
  • 著者名/発表者名: 白澤徹郎
  • 学会等名: 日本物理学会第62回年次大会
  • 発表場所: 北海道大学札幌キャンパス
  • 年月日: 2007-09-22