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本研究は、銅酸化物高温超伝導体において示唆されている、時間的・空間的にゆらいだ電子対の可能性を従来型超伝導体とは異なる特異な性質としてとらえ、これを走査トンネル顕微鏡法/分光法を用いたナノスケール分光イメージングにより明らかにすることを試みた。本年度は、ホール濃度の変化による電子状態の発達過程に着目し、Mott絶縁体が金属化(超伝導化)する電子状態の変化、及び、超伝導電子対の形成との関連が議論の的となっている擬ギャップの発達過程、を詳細に調べた。測定試料としてCa_<2-x>Na_xCu0_2Cl_2を用い、非超伝導・超伝導両方の組成を得ることで、これまでに精密な分光イメージング測定が行われてこなかった超伝導発現組成をまたぐ領域での測定を行った。その結果、(1)U字型の半導体的スペクトルを示す領域の中にV字型の擬ギャップ状スペクトルを示す領域が見つかること、(2)擬ギャップ状スペクトルは超伝導試料においてみつかるそれとよく似ていること、(3)ホール濃度の増加とともに擬ギャップ状スペクトルを示す領域が増加すること、(4)半導体的スペクトルを示す領域はMott絶縁相の対称性を保つのに対し、擬ギャップ状スペクトルを示す領域はMott絶縁相における並進・回転対称性を局所的に破ること、を発見した。これらの結果より、擬ギャップの形成と局所的な対称性の変化の間に密接な関連が示唆されることを見出した。
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