InAlAs酸化膜によるIII-V-OI MOS構造の作製および界面準位に関する研究

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19860024
• 研究種目: 若手研究(スタートアップ)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 竹中 充 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20451792)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• キーワード: MOSFET / 化合物半導体 / InAlAs / InGaAs / InP / ウェット酸化

研究概要

InAlAsのウェット酸化を利用したIII-V MOS 界面の研究を行った。XPS 分析、エリプソメトリー、TEM 像解析等により、InAlAs の酸化機構を明らかにし、良好な界面特性を持つInAlAs/InP MOS界面を実現することに成功した。またInP 酸化防止層を配した構造において、InAlAs 層の自然酸化を抑制することで、良好なMOS 界面が再現性良く得られることを明らかにした。これにより既存のSi トランジスタの性能を上回るIII-V トランジスタを実現するための基盤技術を確立した。

研究成果

• [雑誌論文] Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed bywet thermal oxidation (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M.Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S. Takagi
  • 雑誌名: Japanese Journal ofApplied Physics (JJAP) vol.48, No.2
• [学会発表] Fabrication of III-V MOS structureby using selective oxidation of InAlAs (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa,M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S.Takagi
  • 学会等名: International Conference on Solid StateDevices and Materials (SSDM'08)
  • 発表場所: G-9-4,Tsukuba
  • 年月日: 2009-09-26
• [学会発表] InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成 (2008)
  • 著者名/発表者名: 中川翔太, 横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充, 高木信一
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日本大学理工学部
  • 年月日: 2008-03-29
• [産業財産権] 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置 (2008)
  • 発明者名: 竹中充、高木信一、秦雅彦、市川磨
  • 権利者名: 国立大学法人東京大学、住友化学株式会社
  • 産業財産権番号: 特許2008-082081
  • 出願年月日: 2008-03-26