Belle2 性能向上のための3D積層技術を用いたSOIピクセルセンサーの開発

2019 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 19H00692
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分15:素粒子、原子核、宇宙物理学およびその関連分野
• 研究機関: 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
• 研究代表者: 坪山 透 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, シニアフェロー (80188622)
• 研究分担者: 山田 美帆 東京都立産業技術高等専門学校, ものづくり工学科, 助教 (90714668) ; 倉知 郁生 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, その他部局等, 特別教授 (00533944) ; 新井 康夫 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 特定教授 (90167990) ; 小野 峻 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究員 (60603157)
• 研究期間 (年度): 2019-04-01 – 2023-03-31

審査結果の所見の概要

SuperKEKBのBelle II検出器において、ピクセルセンサー基板の上にCMOS回路を直接構築するとともに、信号処理用CMOSチップを接合する「3D積層技術」を採用して、各ピクセルの読み出し性能を強化する。本研究課題は、これによって検出器のバックグラウンドに対する耐性を向上させることを目的としている。
Belle II検出器に設計性能を発揮させ、実験を成功させるための本質的な技術開発である。研究代表者らのグループは当該技術開発をリードしており、遂行上の強みが認められる。また、この開発によってセンサーの細密化や高速化の流れが促進されると考えられるため、他の広い分野への波及効果も期待できる。